采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM200N03DPQ33 RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：2448，"08+"：6022，"10+"：2425，"MI+"：6750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N03L27-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCG20P03-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：21W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17578Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€37W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P-Channel
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
