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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 12V
    包装方式: 卷带(TR)
    类型: 2个P沟道(双)
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":16318}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD2104PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@6V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1394
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订471个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P 起订471个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":422,"23+":2860}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6318P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:471
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6318P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6318P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTBG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJD2104PTBG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJD2104PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@6V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1394
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6318P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6318P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:900mV@400µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1055UFDB-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1055UFDB-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1055UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.36W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1028pF@6V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 US6J11TR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 US6J11TR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):US6J11TR

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1046UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:915pF@6V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:61mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1046UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:915pF@6V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:61mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1046UFDB-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:915pF@6V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:61mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1046UFDB-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1046UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:915pF@6V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:61mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW€1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.14A€1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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