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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 150V
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 43nC@10V
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@75V

    连续漏极电流:4.5A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:45mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@75V

    连续漏极电流:4.5A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.1nF@75V

    连续漏极电流:1.7A€9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:420mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.1nF@75V

    连续漏极电流:1.7A€9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:420mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.1nF@75V

    连续漏极电流:1.7A€9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:420mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:45mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

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    类型:N-Channel

    导通电阻:45mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.1nF@75V

    连续漏极电流:1.7A€9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:420mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:7.2A

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    导通电阻:45mΩ

    漏源电压:150V

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    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:45mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.1nF@75V

    连续漏极电流:1.7A€9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:420mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@75V

    连续漏极电流:4.5A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@75V

    连续漏极电流:4.5A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.1nF@75V

    连续漏极电流:1.7A€9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:420mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@75V

    连续漏极电流:4.5A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@75V

    连续漏极电流:4.5A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:45mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@75V

    连续漏极电流:4.5A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:45mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@75V

    连续漏极电流:4.5A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:45mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.1nF@75V

    连续漏极电流:1.7A€9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:420mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD42DP15LMATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD42DP15LMATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2V@1.04mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.1nF@75V

    连续漏极电流:1.7A€9A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:420mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:500
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