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    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3432-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3432-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3432-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3432-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    漏源电压:60V

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:1.6A

    ECCN:EAR99

    输入电容:573pF@30V

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3432-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3432-AU_R1_000A1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:1.3V@250µA

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:200mΩ@1.6A,4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:93pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€2.78W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@4V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€2.78W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@4V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:345mΩ@1.25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD25483F4T
    TI Mosfet场效应管 CSD25483F4T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25483F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.96nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:198pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:205mΩ@500mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€2.78W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@4V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@75V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H220L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H220L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:401pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:220mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@75V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N03LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N03LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N03LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@5V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT
    TI Mosfet场效应管 CSD13302WT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13302WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:862pF@6V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.1mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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