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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 37A
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    当前匹配商品:60+
    商品信息
    参数
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R080P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R080P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R080P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCH104N60F
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCH104N60F

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:139nC@10V

    输入电容:5950pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R080P7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R080P7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP104N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCP104N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":689}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP104N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4165pF@380V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:112
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7080pF@15V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28mΩ@37A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT42S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2154pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@21A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP104N60
    onsemi Mosfet场效应管 FCP104N60

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":689}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP104N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4165pF@380V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7080pF@15V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28mΩ@37A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R080P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R080P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R080P7XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZA60R080P7XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZA60R080P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:120
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7080pF@15V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28mΩ@37A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FCP099N60E
    onsemi Mosfet场效应管 FCP099N60E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP099N60E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3465pF@380V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R080P7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R080P7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R080P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT42S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2154pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@21A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R080P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R080P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R080P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP35N15G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€178W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L
    AOS Mosfet场效应管 AOT42S60L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT42S60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2154pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@21A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7080pF@15V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28mΩ@37A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R080P7ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R080P7ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R080P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Microchip Mosfet场效应管 APT10021JFLL
    Microchip Mosfet场效应管 APT10021JFLL

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT10021JFLL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:694W

    阈值电压:5V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:395nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9750pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH099N60E
    onsemi Mosfet场效应管 FCH099N60E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":14400}

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH099N60E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3465pF@380V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:137
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R080P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R080P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R080P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:129W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2180pF@400V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@11.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G
    onsemi Mosfet场效应管 NTP35N15G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2878,"9999":15,"MI+":501}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP35N15G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€178W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3200pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:239
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010DC

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@15V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7080pF@15V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.28mΩ@37A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":159}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4302pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
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