品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5124PLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3600,"23+":39000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5124PLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5124PLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5124PLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:806mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:600mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:806mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:600mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5124PLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:806mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:600mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:806mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:600mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5124PLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3600,"23+":39000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5124PLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:806mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:600mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5124PLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5124PLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FQTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:400mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:806mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:219pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:600mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5124PLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4306AV
工作温度:-55℃~150℃
功率:850mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: