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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：12696}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT1043M-EL-E
功率：1.05W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：12696}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT1043M-EL-E
功率：1.05W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS3401
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：HAT1043M-EL-E
功率：1.05W
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250μA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：680pF@15V
功率：1.2W
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
连续漏极电流：4.4A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AS3401
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：680pF@15V
功率：1.2W
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
连续漏极电流：4.4A
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
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