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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    连续漏极电流: 6.5A
    类型: P沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:50+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM260P02CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM260P02CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM260P02CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM260P02CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM260P02CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO4459
    UMW Mosfet场效应管 AO4459

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4459

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 AO4459
    UMW Mosfet场效应管 AO4459

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4459

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO4459
    UMW Mosfet场效应管 AO4459

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4459

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM260P02CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    UMW Mosfet场效应管 AO4459
    UMW Mosfet场效应管 AO4459

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4459

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    UMW Mosfet场效应管 AO4459
    UMW Mosfet场效应管 AO4459

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4459

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM260P02CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM260P02CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM260P02CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    UMW Mosfet场效应管 AO4459
    UMW Mosfet场效应管 AO4459

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4459

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    UMW Mosfet场效应管 AO4459
    UMW Mosfet场效应管 AO4459

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4459

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    UMW Mosfet场效应管 AO4459
    UMW Mosfet场效应管 AO4459

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4459

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 AO4459
    UMW Mosfet场效应管 AO4459

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4459

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO4459
    UMW Mosfet场效应管 AO4459

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4459

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO4459
    UMW Mosfet场效应管 AO4459

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4459

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM260P02CX6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM260P02CX6 RFG

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:26mΩ@5A,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:6.5A

    栅极电荷:19.5nC@4.5V

    输入电容:1670pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4459
    UMW Mosfet场效应管 AO4459

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4459

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO4459
    UMW Mosfet场效应管 AO4459

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4459

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    导通电阻:42mΩ@6.5A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:520pF@15V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    连续漏极电流:6.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9630PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2038USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1496pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2038USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1496pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9630PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630SPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9630SPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9630SPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€74W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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