品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2900}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:37W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:36A
类型:MOSFET
导通电阻:15mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2900}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS014N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:37W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:36A
类型:MOSFET
导通电阻:15mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:4nC@4.5V
输入电容:590pF@25V
漏源电压:40V
类型:2个N沟道
连续漏极电流:36A
功率:28W
导通电阻:9.2mΩ@10V,5A
反向传输电容:8pF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@20μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ980EL-T1_GE3
输入电容:1.995nF@40V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:80V
栅极电荷:36nC@10V
类型:2个N沟道
连续漏极电流:36A
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:13.5mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: