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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:525
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4NB60CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R2K0P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R2K0P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N50NZTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N50NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@2A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP04N80C3XKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPP04N80C3XKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPP04N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:3.9V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF4N90C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF4N90C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5454}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF4N90C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:47W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:960pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:462
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R2K0P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R2K0P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R2K0P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7W

    阈值电压:3.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1.7A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3402L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:464pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3402L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:464pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7846DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7846DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT04N10B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051LDM-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051LDM-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3051LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@5V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051LDM-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051LDM-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3051LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@5V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3065LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3065LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:465pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF1300N80ZYD
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF1300N80ZYD

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":497}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF1300N80ZYD

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:4.5V@400µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:880pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:337
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R1K4P7AKMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R1K4P7AKMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":10,"17+":16500,"18+":79999,"9999":1430,"MI+":1500}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU80R1K4P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:3.5V@700µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.05nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:250pF@500V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:877
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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