采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J511NU，LF
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@6V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@4A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6180SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6180SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6180SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4015SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J511NU，LF
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@6V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@4A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J511NU，LF
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@6V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@4A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8000pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6180SK3Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：984.7pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J511NU，LF
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@6V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：9.1mΩ@4A，8V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03TB1
栅极电荷：80nC@5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：8000pF@10V
功率：650mW
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：14A
导通电阻：7mΩ@14A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1900pF@10V
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：20W
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
连续漏极电流：14A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH140P03TB1
栅极电荷：80nC@5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：8000pF@10V
功率：650mW
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：14A
导通电阻：7mΩ@14A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J511NU，LF
导通电阻：9.1mΩ@4A，8V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：14A
漏源电压：12V
输入电容：3350pF@6V
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
