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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0104N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.6V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0104N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.6V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0104N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.6V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0104N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.6V@500µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@20V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012CR-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：240mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：396mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012TQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0104N8-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：70pF@20V
导通电阻：2Ω@1A，10V
阈值电压：1.6V@500µA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：630mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
