采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2008LFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1418pF@10V
连续漏极电流：14.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.4mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2008LFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1418pF@10V
连续漏极电流：14.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.4mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2008LFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1418pF@10V
连续漏极电流：14.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.4mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"21+"：26611，"23+"：22998，"MI+"：9644}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2019UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：23mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2008LFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1418pF@10V
连续漏极电流：14.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.4mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7900AEDN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2008LFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1418pF@10V
连续漏极电流：14.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.4mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2008LFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1418pF@10V
连续漏极电流：14.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.4mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2008LFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1418pF@10V
连续漏极电流：14.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.4mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2008LFU-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.5V@250A
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1418pF@10V
连续漏极电流：14.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.4mΩ@5.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
