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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订100个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订100个装
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    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:961pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4806CS RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4806CS RLG

    输入电容:961pF@15V

    导通电阻:20mΩ@20A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM3446CX6 RFG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM3446CX6 RFG

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:700pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:33mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4206GVTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4206GVTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL716SNH6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL716SNH6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":37200,"18+":1220}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL716SNH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.8V@218µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2778
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110GTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110GTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2110GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFV-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN0545GTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN0545GTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN0545GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@25V

    连续漏极电流:0.14A

    类型:N-Channel

    导通电阻:50Ω@100mA,10V

    漏源电压:450V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN4A06GTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN4A06GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":127500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:782
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL01N60ZT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL01N60ZT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL01N60ZT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:92pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:15Ω@400mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2004
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110GTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2110GTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2110GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF5801TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF5801TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:88pF@25V

    连续漏极电流:0.6A

    类型:N-Channel

    导通电阻:2.2Ω@360mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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