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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    功率: 800mW
    漏源电压: 12V
    类型: P沟道
    当前匹配商品:10+
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    onsemi Mosfet场效应管 SCH1335-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1335-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":45000,"14+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1335-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2914
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RZF013P01TL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZF013P01TL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZF013P01TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RAF040P01TCL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RAF040P01TCL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RAF040P01TCL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1334-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1334-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":5000,"12+":40000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1334-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:215mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3206
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1335-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1335-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":45000,"14+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1335-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@6V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:112mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RZF013P01TL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZF013P01TL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZF013P01TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RZF013P01TL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZF013P01TL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZF013P01TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1334-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1334-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":5000,"12+":40000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1334-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:215mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    ROHM Mosfet场效应管 RZF013P01TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RZF013P01TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RZF013P01TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1045UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1357pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:31mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
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