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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    功率: 800mW
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 2A
    当前匹配商品:40+
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    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":4450,"14+":13030,"17+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1430-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:128pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2914
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1430-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:128pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3173
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1434-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1434-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1434-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3478-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3478-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":92631}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3478-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2671
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3476-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3476-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":7200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3476-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:128pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1213
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1434-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1434-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1434-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2914
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3478-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3478-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":92631}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3478-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3476-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 MCH3476-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":36000,"16+":74400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH3476-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:128pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1496
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-H
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1430-TL-H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":4450,"14+":13030,"17+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1430-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:128pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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