采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9433BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@16V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2246TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.1V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@16V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9433BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@4.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：16346，"08+"：15000，"10+"：315000，"11+"：189000，"14+"：3000，"16+"：27000，"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6670}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：75000，"MI+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：75000，"MI+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ661PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS21115C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"04+"：5994}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML6402TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：633pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：16346，"08+"：15000，"10+"：315000，"11+"：189000，"14+"：3000，"16+"：27000，"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：600mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
