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    20V
    类型
    工作温度
    连续漏极电流
    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    功率: 400mW
    漏源电压: 20V
    类型: P沟道
    当前匹配商品:90+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订25个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订25个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订25个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订25个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订25个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订25个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    连续漏极电流:2.8A

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR01P02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR01P02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":78000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR01P02LT1G

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4348
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4402UPEZ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4402UPEZ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":6007}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM4402UPEZ

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4267
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR01P02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR01P02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":78000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR01P02LT1G

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR01P02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR01P02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR01P02LT1G

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR01P02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR01P02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR01P02LT1G

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.1nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP22D4UFA-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP22D4UFA-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP22D4UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:28.7pF@15V

    连续漏极电流:330mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX2301PVL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX2301PVL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX2301PVL

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX2301PVL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX2301PVL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX2301PVL

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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