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    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISS55EP06LMXTSA1 起订11个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISS55EP06LMXTSA1 起订11个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISS55EP06LMXTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18pF@30V

    连续漏极电流:180mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5Ω@180mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISS55EP06LMXTSA1 起订11个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISS55EP06LMXTSA1 起订11个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISS55EP06LMXTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18pF@30V

    连续漏极电流:180mA

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5Ω@180mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7000TA 起订6个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7000TA 起订6个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订4167个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订4167个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4502PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@15V

    连续漏极电流:1.13A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.95A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3731U-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3731U-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3731U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:73pF@25V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFA-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFA-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2990UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:510mA

    类型:N沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2450UFD-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2450UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:52pF@16V

    连续漏极电流:900mA

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFA-7B 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UFA-7B 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2990UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:510mA

    类型:N沟道

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3400A-TP 起订15000个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3400A-TP 起订15000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3400A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3401A-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3401A-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3401A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD280UN,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMGD280UN,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMGD280UN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@20V

    连续漏极电流:870mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:340mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDJ-7A 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDJ-7A 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UDJ-7A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.5pF@15V

    连续漏极电流:520mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N02LT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 MVGSF1N02LT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7000TA 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7000TA 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7000BU 起订5000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7000BU 起订5000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000BU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4502PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4502PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@15V

    连续漏极电流:1.13A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@1.95A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3401A-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3401A-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3401A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP21D6UFD-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP21D6UFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46.1pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF1N02LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF1N02LT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:125pF@5V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138WQ-7-F 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WQ-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR1P02T1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02LT3G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02LT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@5V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:220mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7000BU 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7000BU 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7000BU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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