采购热线 400-661-9010
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J216FE，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：32mΩ@3.5A，4.5V
输入电容：1040pF@12V
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：12V
栅极电荷：12.7nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3662，"09+"：15000，"10+"：55476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1291pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1291pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1291pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1291pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1291pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：8980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3447PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1053pF@6V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1291pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1291pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1045UFY4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.7nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1291pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3662，"09+"：15000，"10+"：55476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1A060ZPTR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：21000}
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1157pF@6V
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
类型：P沟道
漏源电压：12V
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：3.5A
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
