采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2292，"18+"：32950，"19+"：2}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC6S5A354PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
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连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
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连续漏极电流：8.6A
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
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连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
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连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，10V
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类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
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类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
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连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
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阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
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输入电容：1377pF@30V
连续漏极电流：7.2A€23.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：2292，"18+"：32950，"19+"：2}
规格型号(MPN)：NVC6S5A354PLZT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：600pF@20V
漏源电压：60V
导通电阻：100mΩ@2A，10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.2A€23.6A
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
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类型：P沟道
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ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.2A€23.6A
导通电阻：50mΩ@7A，10V
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类型：P沟道
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.2A€23.6A
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漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
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类型：P沟道
功率：1.9W
ECCN：EAR99
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SK3-13
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.2A€23.6A
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1377pF@30V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：1.9W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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