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    ECCN: EAR99
    行业应用: 汽车
    功率: 263W
    类型: N沟道
    漏源电压: 100V
    当前匹配商品:20+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:584
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK969R3-100E,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK969R3-100E,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4028,"23+":4000}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK969R3-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11650pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:290
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102
    onsemi Mosfet场效应管 FDI045N10A-F102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI045N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1600个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订1600个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1600
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    包装规格(MPQ):486psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5512pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订300个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订300个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK969R3-100E,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK969R3-100E,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":4028,"23+":4000}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK969R3-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11650pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2400
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7380pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R5-100ESQ

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):486psc

    规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ

    栅极电荷:111nC@10V

    功率:263W

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:100A

    输入电容:5512pF@50V

    阈值电压:4V@1mA

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    包装方式:卷带(TR)

    功率:263W

    输入电容:7380pF@25V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    连续漏极电流:100A

    栅极电荷:108nC@10V

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK768R1-100E,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118

    包装方式:卷带(TR)

    功率:263W

    输入电容:7380pF@25V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:8.1mΩ@25A,10V

    连续漏极电流:100A

    栅极电荷:108nC@10V

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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