品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060L
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:20mΩ@10V,24A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060L
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:20mΩ@10V,24A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@24A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":469}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060L
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:管件
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连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:20mΩ@10V,24A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
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输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
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栅极电荷:156nC@10V
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输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060L
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:20mΩ@10V,24A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060L
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:20mΩ@10V,24A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":469}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDP6060L
工作温度:-65℃~+175℃
功率:100W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@5V
包装方式:管件
输入电容:2nF@25V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:20mΩ@10V,24A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L,LXHQ
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:156nC@10V
阈值电压:3V@1mA
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
工作温度:175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
输入电容:7760pF@10V
功率:100W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.76nF@10V
栅极电荷:156nC@10V
阈值电压:3V@1mA
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:60A
功率:100W
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.76nF@10V
栅极电荷:156nC@10V
阈值电压:3V@1mA
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:60A
功率:100W
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: