采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP12N10L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：900 pF @ 25 V
连续漏极电流：12A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 12A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：4760 pF @ 25 V
连续漏极电流：57A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：15 毫欧 @ 49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：4760 pF @ 25 V
连续漏极电流：57A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：15 毫欧 @ 49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP12N10L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：900 pF @ 25 V
连续漏极电流：12A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 12A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1064，"MI+"：3788}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLM120ATF
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.7W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.3A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：220 毫欧 @ 1.15A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP12N10L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：900 pF @ 25 V
连续漏极电流：12A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 12A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP12N10L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：900 pF @ 25 V
连续漏极电流：12A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 12A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：4760 pF @ 25 V
连续漏极电流：57A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：15 毫欧 @ 49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：4760 pF @ 25 V
连续漏极电流：57A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：15 毫欧 @ 49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：RFP12N10L
阈值电压：2V @ 250µA
连续漏极电流：12A（Tc）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
功率：60W（Tc）
包装方式：管件
输入电容：900 pF @ 25 V
导通电阻：200 毫欧 @ 12A，5V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800100DC
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W（Ta），156W（Tc）
栅极电荷：111 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
输入电容：7835 pF @ 50 V
导通电阻：2.95 毫欧 @ 24A，10V
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
连续漏极电流：24A（Ta），162A（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19538Q2
导通电阻：59 毫欧 @ 5A，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：2.5W（Ta），20.2W（Tc）
栅极电荷：5.6 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：3.8V @ 250µA
类型：N 通道
输入电容：454 pF @ 50 V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
连续漏极电流：14.4A（Ta）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2332
规格型号(MPN)：BSC146N10LS5ATMA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300 pF @ 50 V
连续漏极电流：44A（Tc）
导通电阻：14.6 毫欧 @ 22A，10V
阈值电压：2.3V @ 23µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：10 nC @ 4.5 V
类型：N 通道
功率：2.5W（Ta），52W（Tc）
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800100DC
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W（Ta），156W（Tc）
栅极电荷：111 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
输入电容：7835 pF @ 50 V
导通电阻：2.95 毫欧 @ 24A，10V
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
连续漏极电流：24A（Ta），162A（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
