销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：35，"08+"：1025，"15+"：1，"23+"：2400}

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6043G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：8A

功率：75W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2V@16mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SBSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJB5742T4G

集射极击穿电压(Vceo)：400V

集电极电流(Ic)：8A

功率：100W

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@400mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@4A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP111G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T1G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD6039T4G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@2A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：500，"18+"：2528，"19+"：277}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJB5742T4G

集射极击穿电压(Vceo)：400V

集电极电流(Ic)：8A

功率：100W

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@400mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@4A，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP112G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：2mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@8mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD122T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.75W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：4MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJD35N04T4G

集射极击穿电压(Vceo)：350V

集电极电流(Ic)：4A

功率：45W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

特征频率：90MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@20mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@2A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47 TR PBFREE

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：350mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJF6388G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：3000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1000，"22+"：8550}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6038G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NJVMJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52T3G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：800mW

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6388G

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：65℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@100mA，10A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@5A，3V

包装清单：商品主体 * 1