品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"06+":96000,"19+":8000}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
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集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
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晶体管类型:2个PNP-预偏置
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品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
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品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
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品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
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功率:187mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
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品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
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晶体管类型:2个PNP-预偏置
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品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
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品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
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集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
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功率:187mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
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晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
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集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
功率:187mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:2个PNP-预偏置
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品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"05+":8000,"14+":44000,"18+":8000,"21+":40000}
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包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:500mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
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集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:187mW
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