品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:250mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
ECCN:EAR99
功率:250mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:202mW
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:246mW
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
ECCN:EAR99
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
功率:187mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:202mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
ECCN:EAR99
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:250mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
功率:187mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:2个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:250mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"17+":72000,"12+":207000,"19+":2899,"06+":30000}
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:246mW
输入电阻:100kΩ
ECCN:EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
功率:202mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
输入电阻:10kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:260mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"05+":30000}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
输入电阻:10kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:246mW
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:246mW
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
ECCN:EAR99
功率:500mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"04+":3000,"06+":14725,"08+":24000,"10+":33000,"12+":599083,"13+":9000,"15+":9000}
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
ECCN:EAR99
功率:250mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"05+":6000,"06+":304476}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
输入电阻:10kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:200mW
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"14+":296000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
功率:254mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:246mW
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
ECCN:EAR99
功率:400mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
功率:260mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"06+":96000,"15+":6000,"16+":50000,"19+":2870}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
晶体管类型:PNP-预偏压
输入电阻:4.7kΩ
包装方式:卷带(TR)
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:246mW
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
生产批次:{"12+":128000}
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
功率:408mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
ECCN:EAR99
功率:250mW
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA
ECCN:EAR99
功率:400mW
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
晶体管类型:PNP-预偏压
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
输入电阻:10kΩ
功率:260mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
ECCN:EAR99
晶体管类型:NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo):500nA
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
功率:187mW
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
晶体管类型:2个NPN-预偏置
ECCN:EAR99
集射极击穿电压(Vceo):50V
包装方式:卷带(TR)
集电极电流(Ic):100mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: