销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：202mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

功率：310mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：30mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"08+"：13500，"09+"：12000，"10+"：9000，"11+"：627000，"12+"：11000，"15+"：48000，"21+"：46500，"22+"：123000，"23+"：54000}

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V

特征频率：190MHz

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"22+"：12000}

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电集截止电流(Icbo)：1µA

功率：250mW

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

功率：250mW

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

功率：250mW

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：30mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：260mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：330mW

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：30mA

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA

功率：246mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@5mA，10V

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：202mW

ECCN：EAR99

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@5mA，10mA

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"13+"：147000，"22+"：81000}

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

功率：246mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：260mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：202mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：100nA

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V

特征频率：190MHz

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

功率：150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：30mA

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：30mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

ECCN：EAR99

功率：338mW

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

集电集截止电流(Icbo)：500nA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

晶体管类型：PNP-预偏压

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

功率：200mW

ECCN：EAR99

输入电阻：47kΩ

晶体管类型：NPN-预偏压

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

特征频率：250MHz

包装清单：商品主体 * 1