采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R5-30YL，115
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：3.5mΩ@15A，10V
连续漏极电流：100A
输入电容：2458pF@12V
功率：74W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH105，215
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：417mW
连续漏极电流：1.05A
阈值电压：570mV@1mA
漏源电压：20V
栅极电荷：3.9nC@4.5V
ECCN：EAR99
输入电容：152pF@16V
导通电阻：200mΩ@600mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D120-60PX
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：2.3W€15W
连续漏极电流：3A€8A
输入电容：724pF@30V
漏源电压：60V
阈值电压：3.2V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y25-80E，115
包装方式：卷带（TR）
功率：95W
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：17.1nC@5V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@1mA
输入电容：2703pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：27mΩ@10A，5V
连续漏极电流：37A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@2.5mA，50mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@50mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
特征频率：140MHz
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：320mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26，215
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
特征频率：220MHz
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：80V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
功率：350mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：126150}
规格型号(MPN)：NX7002BKVL
包装方式：卷带（TR）
功率：310mW
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：270mA
栅极电荷：1nC@10V
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
ECCN：EAR99
输入电容：23.6pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138BKR
包装方式：卷带（TR）
功率：310mW
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：0.49nC@4.5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：265mA
阈值电压：1.5V@250µA
导通电阻：3.5Ω@200mA，10V
ECCN：EAR99
输入电容：20.2pF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3008CBKV，115
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：1.4Ω@350mA，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：50pF@15V
阈值电压：1.1V@250µA
类型：N和P沟道
功率：500mW
ECCN：EAR99
连续漏极电流：400mA€220mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX1029X，115
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：330mA€170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.1V@250µA
漏源电压：60V€50V
类型：N和P沟道
功率：500mW
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 250µA，5mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 10mA，5V
电阻比：47千欧
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV49，135
功率：1.3W
晶体管类型：NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
特征频率：220MHz
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV100XPR
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
输入电容：354pF@15V
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
栅极电荷：6.4nC@4.5V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
功率：340mW€2.1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKSX
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：270mA
栅极电荷：1nC@10V
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
ECCN：EAR99
输入电容：23.6pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002PS，125
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
连续漏极电流：320mA
输入电容：50pF@10V
功率：420mW
ECCN：EAR99
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：40V
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：180@300mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：750mV@6mA，600mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：600mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX3020NAK，215
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：13pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1.5V@250µA
功率：300mW€1.06W
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.44nC@4.5V
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB23XNEZ
导通电阻：22mΩ@7A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1136pF@10V
类型：N沟道
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：1.7W
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB600UNEZ
功率：265mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
阈值电压：950mV@250µA
连续漏极电流：600mA
输入电容：21.3pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV250EPEAR
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：240mΩ@1.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：450pF@20V
功率：480mW€6.25W
栅极电荷：6nC@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：7993，"MI+"：1600}
规格型号(MPN)：BUK6C2R1-55C，118
输入电容：16000pF@25V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：2.3mΩ@90A，10V
漏源电压：55V
功率：300W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：253nC@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：228A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：34557}
规格型号(MPN)：PMN27XPE，115
功率：530mW€8.33W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：22.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1770pF@10V
类型：P沟道
漏源电压：20V
连续漏极电流：4.4A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y4R8-60EX
输入电容：5520pF@25V
功率：238W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：100A
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：73.1nC@10V
ECCN：EAR99
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7K25-40E，115
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：25mΩ@5A，10V
输入电容：525pF@25V
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：27A
ECCN：EAR99
功率：32W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y09-40B，115
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
栅极电荷：30nC@5V
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：2866pF@25V
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
功率：105.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB600UNEYL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：360mW€2.7W
栅极电荷：0.7nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：620mΩ@600mA，4.5V
阈值电压：950mV@250µA
连续漏极电流：600mA
输入电容：21.3pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
功率：360mW
晶体管类型：1个NPN-预偏置
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
电阻比：4.7
包装方式：卷带（TR）
最大输入电压(VI(off))：700mV@100μA，5V
晶体管类型：1个NPN-预偏置，1个PNP-预偏置
输入电阻：10kΩ
最小输入电压(VI(on))：800mV@1mA，0.3V
ECCN：EAR99
功率：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
