品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"19+":79760}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:100kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:180MHz
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"19+":30000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
电阻比:10千欧
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):35 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@20V
连续漏极电流:295mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"14+":12851,"22+":21000}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):100nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"14+":3000,"15+":57000}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):120@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):750mV@6mA,600mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):180@300mA,5V
集电极电流(Ic):600mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):40V
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":9840}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"20+":84000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"22+":51000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:47kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):750mV@6mA,600mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):180@300mA,5V
集电极电流(Ic):600mA
输入电阻:2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo):40V
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"19+":57000,"20+":90000,"21+":53900}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:PNP-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"22+":45000}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"20+":30000}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):20@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"03+":12000,"12+":1666}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10千欧
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":165000,"12+":1000,"16+":9000,"18+":28421,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):3LP01C-TB-E
工作温度:150℃
功率:250mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.5pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:10.4Ω@50mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2个NPN-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD5110NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:294mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"21+":70000}
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:230MHz
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:2个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA
集电集截止电流(Icbo):1µA
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:NPN-预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存: