采购热线 400-661-9010
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120J1-TR
工作温度：-40℃~+150℃
功率：277W
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：68A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRFE8VP8600HR5
工作温度：-40℃~+150℃
功率：140W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.8A
类型：RF-MOSFET
漏源电压：-500mV€115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：20}
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：F4150R17N3P4B58BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：12.3nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：2.2V@15V，150A
集电极截止电流(Ices)：1.7kV
类型：FS(场截止)
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120J1-TR
工作温度：-40℃~+150℃
功率：277W
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：68A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：27500，"20+"：17500，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPAN60R600P7SXKSA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：21W
阈值电压：4V@80μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：363pF@400V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：3，"22+"：25}
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：F3L225R07W2H3PB63BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：14nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：1.75V@15V，85A
集电极截止电流(Ices)：650V
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：20}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FB20R06YE3B1BOMA1
ECCN：EAR99
输入电容：1.1nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，20A
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"13+"：30，"15+"：96，"16+"：84}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF400R07PE4RB6BOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：18.5nF@25V
集电极截止电流(Ices)：650V
类型：FS(场截止)
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0032120J1-TR
工作温度：-40℃~+150℃
功率：277W
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：68A
类型：MOSFET
导通电阻：32mΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"13+"：30，"15+"：96，"16+"：84}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF400R07PE4RB6BOSA1
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：18.5nF@25V
集电极截止电流(Ices)：650V
类型：FS(场截止)
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：476}
包装规格(MPQ)：150psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：A3T23H450W23SR6
工作温度：-40℃~+150℃
功率：87W
阈值电压：1.3V
ECCN：EAR99
包装方式：Reel
类型：RF-MOSFET
漏源电压：-0.5V€65V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：120，"22+"：460}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF300R08W2P2B11ABOMA1
ECCN：EAR99
输入电容：53nF@50V
栅极阈值电压(Vge(th))：1.18V@15V，200A
集电极截止电流(Ices)：750V
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360PFD7SATMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：7W
阈值电压：4.5V@140μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：534pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@2.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"22+"：41，"9999"：9}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF23MR12W1M1PB11BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：3.68nF@800V
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：218}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FS100R12KT4PB15BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：6.3nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，100A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：FS(场截止)
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：218}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FS100R12KT4PB15BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：6.3nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，100A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：FS(场截止)
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0045065J1-TR
工作温度：-40℃~+150℃
功率：147W
阈值电压：3.6V
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：47A
类型：MOSFET
导通电阻：60mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN03N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，3A
关断延迟时间：77.5ns
反向恢复时间：38ns
关断损耗：0.044mJ
开启延迟时间：7ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：18nC
导通损耗：0.062mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"15+"：285}
销售单位：个
规格型号(MPN)：DF80R12W2H3B11BOMA1
ECCN：EAR99
输入电容：2.35nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：1.7V@15V，20A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"17+"：218}
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FS100R12KT4PB15BPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：6.3nF@25V
栅极阈值电压(Vge(th))：2.1V@15V，100A
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
类型：FS(场截止)
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：15120，"22+"：400，"MI+"：1200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IM241S6T2BAKMA1
ECCN：EAR99
栅极阈值电压(Vge(th))：1.78V@15V，500mA
集电极截止电流(Ices)：600V
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IKN04N60RC2ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
栅极阈值电压(Vge(th))：2.3V@15V，4A
关断延迟时间：126ns
反向恢复时间：39ns
关断损耗：0.062mJ
开启延迟时间：8ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：24nC
导通损耗：0.095mJ
工作温度：-40℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV8403ASTT1G
工作温度：-40℃~+150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.2V@1.2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：68mΩ@10V，3A
漏源电压：42V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
