采购热线 400-661-9010
品牌：松下（Panasonic）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FK6K02010L
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：80MHz
功率：125mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SK8603140L
工作温度：150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：3V@5.85mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6860pF@10V
连续漏极电流：25A€103A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：80mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：80MHz
功率：100mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FK6K02010L
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：80mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：100mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SK8403170L
工作温度：150℃
功率：2W€24.6W
阈值电压：3V@2.56mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@10V
连续漏极电流：16A€59A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SK8403170L
工作温度：150℃
功率：2W€24.6W
阈值电压：3V@2.56mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@10V
连续漏极电流：16A€59A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：80mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：100mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：150MHz
功率：200mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SK8603140L
工作温度：150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：3V@5.85mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6860pF@10V
连续漏极电流：25A€103A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：松下（Panasonic）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SK8403170L
工作温度：150℃
功率：2W€24.6W
阈值电压：3V@2.56mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2940pF@10V
连续漏极电流：16A€59A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
