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销售单位:个
规格型号(MPN):TIP117G
集射极击穿电压(Vceo):100V
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晶体管类型:PNP
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包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP115G
集射极击穿电压(Vceo):60V
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晶体管类型:PNP
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包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147G
集射极击穿电压(Vceo):100V
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规格型号(MPN):TIP115G
集射极击穿电压(Vceo):60V
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品牌:ON SEMI
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库存:
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规格型号(MPN):TIP116G
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工作温度:65℃~150℃
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包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@1A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
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包装规格(MPQ):100psc
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功率:300W
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晶体管类型:PNP
包装方式:托盘
集射极击穿电压(Vceo):120V
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工作温度:55℃~200℃
ECCN:EAR99
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
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规格型号(MPN):TIP117G
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工作温度:65℃~150℃
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
功率:2W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@8mA,2A
集射极击穿电压(Vceo):100V
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ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):2A
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库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP115G
集射极击穿电压(Vceo):60V
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功率:2W
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工作温度:65℃~150℃
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ECCN:EAR99
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晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@1A,4V
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生产批次:{"08+":750,"12+":3359}
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规格型号(MPN):MJ11033G
集射极击穿电压(Vceo):120V
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功率:300W
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工作温度:55℃~200℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3.5V@500mA,50A
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晶体管类型:PNP
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库存:
包装规格(MPQ):30psc
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规格型号(MPN):TIP147TU
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:80W
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工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
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库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP117G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):2A
功率:2W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):2.5V@8mA,2A
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库存: