销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:1KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):70mA
输入电阻:10KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):70mA
输入电阻:10KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):70mA
输入电阻:10KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):500mA
输入电阻:10KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:200MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
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包装方式:卷带(TR)
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集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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集电极电流(Ic):70mA
输入电阻:10kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
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集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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集电极电流(Ic):70mA
输入电阻:10KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
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包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):30mA
输入电阻:22KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):30mA
输入电阻:22kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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工作温度:-55℃~150℃
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:10KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:2.2KΩ
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN
包装清单:商品主体 * 1
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