采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"16+"：150000，"17+"：50000，"19+"：9850}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：202mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"05+"：162000，"12+"：105000，"16+"：105000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：291426，"MI+"：2000}
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"05+"：3000，"08+"：57000，"MI+"：1339}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：125@800mA，1V
集电极电流(Ic)：3A
集射极击穿电压(Vceo)：30V
功率：3W
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：291426，"MI+"：2000}
销售单位：个
包装方式：剪切带（CT）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：246mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：246mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：246mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"21+"：15000，"22+"：10000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：340mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"08+"：36000，"12+"：18000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：250mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"20+"：42000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：235mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：202mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"06+"：108000，"13+"：102000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：230mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：102000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：202mW
晶体管类型：1个PNP-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
