品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"16+":150000,"17+":50000,"19+":9850}
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"05+":162000,"12+":105000,"16+":105000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":291426,"MI+":2000}
销售单位:个
包装方式:剪切带(CT)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"05+":3000,"08+":57000,"MI+":1339}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):125@800mA,1V
集电极电流(Ic):3A
集射极击穿电压(Vceo):30V
功率:3W
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":291426,"MI+":2000}
销售单位:个
包装方式:剪切带(CT)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:300mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:246mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"21+":15000,"22+":10000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:340mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"08+":36000,"12+":18000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):120@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:250mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"20+":42000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):80V
功率:235mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):68@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
包装方式:卷带(TR)
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:200mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):33@5mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:150mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"06+":108000,"13+":102000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:230mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:数字晶体管
行业应用:工业,其它
生产批次:{"17+":102000}
销售单位:个
ECCN:EAR99
直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V
集电极电流(Ic):100mA
集射极击穿电压(Vceo):50V
功率:202mW
晶体管类型:1个PNP-预偏置
包装清单:商品主体 * 1
库存: