采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：50mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10µA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"15+"：92242}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"10+"：5000，"12+"：12000，"13+"：12871}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：50@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：93855}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：27000，"19+"：36000，"21+"：135000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：190MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：50mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：50mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"03+"：36000，"13+"：84000，"14+"：453156，"15+"：72000，"18+"：30000，"20+"：117000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"16+"：102871，"20+"：57000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10µA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：33@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"13+"：30000，"18+"：28105，"19+"：60000，"22+"：50000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：190MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：68@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：405000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：200MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：200mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
