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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：455050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23201W10
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325 pF @ 6 V
连续漏极电流：2.2A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：82 毫欧 @ 500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3103TRPBF
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：107W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：19 毫欧 @ 33A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7913DN-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA410NZT-F130
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：900mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310 pF @ 10 V
连续漏极电流：9.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 9.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7913DN-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3103TRPBF
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：107W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：19 毫欧 @ 33A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1013T-7
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：270mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.622 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：59.76 pF @ 16 V
连续漏极电流：460mA（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：700 毫欧 @ 350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
功率：2.1W（Ta）
连续漏极电流：6A（Ta）
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：1V @ 250µA
输入电容：1490 pF @ 10 V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
功率：2.1W（Ta）
连续漏极电流：6A（Ta）
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：1V @ 250µA
输入电容：1490 pF @ 10 V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME510PZT
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：37 毫欧 @ 6A，4.5V
功率：2.1W（Ta）
连续漏极电流：6A（Ta）
栅极电荷：22 nC @ 4.5 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
阈值电压：1V @ 250µA
输入电容：1490 pF @ 10 V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
