品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU014PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:25W€2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":701,"22+":3610,"23+":2632}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€10W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@75V
连续漏极电流:1.2A€3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1pF@75V
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:39W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.774nF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD20N06TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:16.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,8.4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€10W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@75V
连续漏极电流:1.2A€3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1pF@75V
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFPS37N50A-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5.579nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:130mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":17974}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,13A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
功率:2.7W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCACL110N08Y-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.29nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":874,"22+":13717}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€10W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@75V
连续漏极电流:1.2A€3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1pF@75V
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
功率:2.7W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
功率:2.7W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF11N65A-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€89W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@75V
连续漏极电流:5A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD16N25CTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.08nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,8A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€10W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@75V
连续漏极电流:1.2A€3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1pF@75V
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5.8W€230.8W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.45nF@50V
连续漏极电流:215A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:205W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.27nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612
功率:35W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":4700,"13+":1150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP82N04MUG-S18-AY
功率:1.8W€143W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
输入电容:9.75nF@25V
连续漏极电流:82A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@41A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:208pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: