品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:923pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:94pF@15V
导通电阻:12mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT55N06D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.988nF@30V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":300}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N03MLE-S18-AY
功率:1.8W€120W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:3.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@40A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA18ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W€26.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.65nF@15V
连续漏极电流:60A€22A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28ENEAR
工作温度:-55℃~+175℃
功率:660mW€8.3W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660DC
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€78W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.17nF@15V
连续漏极电流:30A€40A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC150N03A-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:75W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.498nF@15V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB5800
工作温度:-55℃~+175℃
功率:242W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.625nF@15V
连续漏极电流:14A€80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC100N08YA-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:152W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.32nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):G110N06K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:160W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.538nF@25V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.021nF@25V
连续漏极电流:9A€2.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:152mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:897pF@15V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@10.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:39mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6350}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N055MDG-S18-AY
功率:115W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
输入电容:6.9nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: