品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4953S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道
导通电阻:36mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8647L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€43W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,13A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4953S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道
导通电阻:36mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5547,"21+":368,"22+":2450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:9A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:266pF@50V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8018
功率:83W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:175A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT457N
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8018
功率:83W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:175A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8mΩ@10V,30A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@10V,6.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4953S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道
导通电阻:36mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT457N
工作温度:-65℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN50EPEX
功率:560mW€6.25mW
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@10V,6.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC654P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:298pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":141000,"23+":47500,"MI+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86102LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€54W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.54nF@50V
连续漏极电流:8A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:22.5mΩ@10V,8A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8647L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€43W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,13A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8447
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.6nF@20V
连续漏极电流:12.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308A
功率:1.25W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@10V,3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: