品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUF020N02TL
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36FS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05HZGT116
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050UNTR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K37CT,L3F
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K37CT,L3F
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUL035N02TR
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K122TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@1A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K37FS,LF
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0702N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:200pF@20V
连续漏极电流:530mA
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@500mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUC002N05T116
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUM002N05T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56ACT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@3V
连续漏极电流:180mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUM002N02T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@200mA,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35CT,L3F
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@3V
连续漏极电流:180mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C010UNT2L
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUF020N02TL
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUM003N02T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUM002N05T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUM002N05T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1C002UNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C010UNT2L
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36MFV,L3F
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RV2C010UNT2L
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:470mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: