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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
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规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
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功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：QS6J11TR
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功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
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输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J11TR
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：1.3A
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规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
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连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：US6J11TR
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连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：600mW
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连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
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规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
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输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
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连续漏极电流：2A
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导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
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输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
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导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J11TR
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J11TR
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J11TR
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J11TR
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J11TR
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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