包装规格(MPQ)：8000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTNS3A67PZT5G

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：120nC

包装方式：Reel

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：8000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTNS3A67PZT5G

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：120nC

包装方式：Reel

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"08+"：6000}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SBVS138LT1G

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：120nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200mA

类型：MOSFET

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：8000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTNS3A67PZT5G

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：120nC

包装方式：Reel

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：7980，"19+"：3391，"20+"：24592，"21+"：7158，"22+"：35865}

包装规格(MPQ)：8000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTNS3A67PZT5G

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：120nC

包装方式：Reel

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：8000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTNS3A67PZT5G

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：120nC

包装方式：Reel

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.65nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.2A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：102W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：33nC

连续漏极电流：79A

类型：MOSFET

导通电阻：8mΩ

漏源电压：120V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2000，"MI+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：58nC

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：95mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：3.6W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.65nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.2A

类型：MOSFET

导通电阻：380mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2180，"22+"：1297}

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT60R105CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：140W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：105mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMFS3D2N10MDT1G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：155W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：48nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：142A

类型：MOSFET

导通电阻：3.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT60R105CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：140W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：105mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2000，"MI+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：58nC

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：95mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：116W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：145mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：59.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：18.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：59.5A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF9620PBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：40W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：3.5A

类型：MOSFET

导通电阻：1.5Ω

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHP6N80AE-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：62.5W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5A

类型：MOSFET

导通电阻：950mΩ

漏源电压：800V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPBE65R230CFD7AATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：439mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1