品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2956,"23+":9000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D4N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:244W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:251nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:558A
类型:MOSFET
导通电阻:450μΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2956,"23+":9000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D4N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:244W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:251nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:558A
类型:MOSFET
导通电阻:450μΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJST1D2N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:454W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:451A
类型:MOSFET
导通电阻:1.25mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:153A
类型:MOSFET
导通电阻:2.9mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJST1D2N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:454W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:451A
类型:MOSFET
导通电阻:1.25mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:153A
类型:MOSFET
导通电阻:2.9mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD024N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:22.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJST1D2N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:454W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:451A
类型:MOSFET
导通电阻:1.25mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBGS001N06C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:342A
类型:MOSFET
导通电阻:1.2mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2956,"23+":9000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D4N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:244W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:251nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:558A
类型:MOSFET
导通电阻:450μΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2956,"23+":9000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D4N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:244W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:251nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:558A
类型:MOSFET
导通电阻:450μΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2956,"23+":9000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D4N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:244W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:251nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:558A
类型:MOSFET
导通电阻:450μΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD024N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:22.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJST1D2N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:454W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:451A
类型:MOSFET
导通电阻:1.25mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:153A
类型:MOSFET
导通电阻:2.9mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJST1D2N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:454W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:451A
类型:MOSFET
导通电阻:1.25mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:153A
类型:MOSFET
导通电阻:2.9mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD024N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:22.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD024N06CT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:22.6mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:153A
类型:MOSFET
导通电阻:2.9mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJST1D2N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:454W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:451A
类型:MOSFET
导通电阻:1.25mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:153A
类型:MOSFET
导通电阻:2.9mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJST1D2N04CTXG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:454W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:451A
类型:MOSFET
导通电阻:1.25mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:153A
类型:MOSFET
导通电阻:2.9mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):NVMJST1D2N04CTXG
阈值电压:4V
包装方式:Reel
漏源电压:40V
栅极电荷:82nC
导通电阻:1.25mΩ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:454W
连续漏极电流:451A
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存: