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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8MA2TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V€1250pF@15V
连续漏极电流：18A€15A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E321GNTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@15V
连续漏极电流：32A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@32A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HP8MA2TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V€1250pF@15V
连续漏极电流：18A€15A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HP8MA2TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V€1250pF@15V
连续漏极电流：18A€15A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：56A
输入电容：6900pF@30V
漏源电压：60V
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
功率：3W
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8MA2TB1
功率：3W
类型：N和P沟道
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：150℃
连续漏极电流：18A€15A
ECCN：EAR99
输入电容：1100pF@15V€1250pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
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