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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G201ATTB1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6890pF@20V
连续漏极电流：20A€78A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G201ATTB1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6890pF@20V
连续漏极电流：20A€78A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G201ATTB1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6890pF@20V
连续漏极电流：20A€78A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1G201ATTB1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6890pF@20V
连续漏极电流：20A€78A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1G201ATTB1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6890pF@20V
连续漏极电流：20A€78A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G201ATTB1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6890pF@20V
连续漏极电流：20A€78A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G201ATTB1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6890pF@20V
连续漏极电流：20A€78A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E055ATTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：24.5mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G201ATTB1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6890pF@20V
连续漏极电流：20A€78A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G201ATTB1
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€40W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6890pF@20V
连续漏极电流：20A€78A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：260mA
栅极电荷：2.8nC@10V
漏源电压：250V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：14Ω@200mA，10V
ECCN：EAR99
输入电容：81pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：260mA
栅极电荷：2.8nC@10V
漏源电压：250V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：14Ω@200mA，10V
ECCN：EAR99
输入电容：81pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
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