品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4825,"MI+":846}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4898NFT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€73.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3233pF@12V
连续漏极电流:13.2A€117A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5625,"22+":2889,"23+":3177}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":18808,"23+":9885,"24+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5625,"22+":2889,"23+":3177}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":18808,"23+":9885,"24+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E055ATTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:24.5mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E055ATTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:24.5mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":4825,"MI+":846}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4898NFT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW€73.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3233pF@12V
连续漏极电流:13.2A€117A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8K22TB
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@15V
连续漏极电流:27A€57A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0300L-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@20V
连续漏极电流:640mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E055ATTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:24.5mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8K22TB
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@15V
连续漏极电流:27A€57A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€54W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:30A€75A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0300L-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@20V
连续漏极电流:640mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5625,"22+":2889,"23+":3177}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0300L-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@20V
连续漏极电流:640mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E055ATTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:24.5mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0300L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:190pF@20V
连续漏极电流:640mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: