品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:131mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G201ATTB1
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6890pF@20V
连续漏极电流:20A€78A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E055ATTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:24.5mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E055ATTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:24.5mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8K22TB
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@15V
连续漏极电流:27A€57A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:131mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P175SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G201ATTB1
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6890pF@20V
连续漏极电流:20A€78A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E055ATTCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:24.5mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HP8K22TB
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@15V
连续漏极电流:27A€57A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:131mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RVQ040N05HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:131mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G201ATTB1
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6890pF@20V
连续漏极电流:20A€78A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:131mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G201ATTB1
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6890pF@20V
连续漏极电流:20A€78A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: