采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
连续漏极电流：4.8A
栅极电荷：4.3nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
输入电容：400pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2240
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFZ-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：500pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55.2pF@16V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012UW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2055U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：4.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2240
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1004UFV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.385nF@6V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2990UFZ-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：500pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55.2pF@16V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1004UFV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.385nF@6V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-7
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
连续漏极电流：630mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-7
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
连续漏极电流：630mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-7
栅极电荷：740pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
连续漏极电流：630mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
