采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX700N20
工作温度：150℃
功率：2.23W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT10090BLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@6A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1995}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP20N60CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT24F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024KNXC7G
工作温度：150℃
功率：74W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8007AND3FRATL
功率：140W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@3.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8007AND3FRATL
功率：140W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@3.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4099LS
工作温度：150℃
功率：2W€35W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@30V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：415W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4525pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@14A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K80TB1
功率：2W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.5pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：11.7Ω@250mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCJ700N20TL
工作温度：150℃
功率：1.56W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：260，"22+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW20N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP6N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2830pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX700N20
工作温度：150℃
功率：2.23W€40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：42.7mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.08Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NC1R5CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：242pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNXC7G
功率：60W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.05nF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4765pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
